台积电将于2024年大规模生产2nm工艺晶体管

2020-09-25 13:44   来源: 互联网

9月25日报道,台湾半导体制造公司(台积电)在研究和开发2NM半导体制造节点方面取得了重大突破:台积电预计将于2023年中期进入2NM工艺的试生产阶段,并在一年内开始大规模生产。


目前,台积电最新的制造工艺是其第一代5nm工艺,将用于为iPhone 12等设备制造处理器。

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台积电2NM工艺将采用差分晶体管设计。这种设计称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管,是对以往FinFET设计的补充。


台积电首次决定为其晶体管设计MBCFET,而不是把它交给晶片工厂。三星去年4月宣布了其3nm制造工艺的设计,该公司的MBCFET设计是对2017年与IBM一起开发和推出的GAAFET晶体管的改进。三星的MBCFET使用的是纳米线,与GAAFET相比。这增加了可用于导电的比表面积,更重要的是,允许设计者在不增加横向表面积的情况下向晶体管添加更多的栅。


IT House的数据显示,台积电预计,到2023年,其2纳米工艺芯片的产量将达到惊人的90%。如果是这样的话,该晶片厂将能够在2024年改进其制造工艺,并易于批量生产。三星在其mbcfet发布版中表示,预计3nm晶体管的功耗将分别比7nm设计低30%和45%,性能将比7nm设计分别提高30%和45%。

责任编辑:无量渡口
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